【GSS18预告】闪存可靠性与测试技术论坛不容错过！

大家好，今天是2018年7月12日，距离“2018全球存储半导体大会”开幕还有8天。我是“闪存可靠性与测试技术论坛”主席吴非，华中科技大学计算机科学与技术学院存储所副教授。目前主要从事计算机系统结构、新型存储器件及体系结构、大规模存储系统能耗优化和高效能策略分析等方面的研究。

2018全球存储半导体大会即将于7月20-21日在武汉举行，本次大会由武汉东湖新技术开发区管理..指导，百易传媒（DOIT）、武汉光电国家研究中心和湖北省半导体行业协会联合主办，中国计算机学会信息存储专委会、武汉软件行业协会协办，预计来自全球的近50家闪存产业链上下游领导厂商集中亮相，并有近百位产业领袖和技术专家带来近百场前瞻演讲。

陈教授将带来题为《浅谈3D NAND闪存存储器的可靠性机理》的主题演讲。2017年，陈杰智教授参与了关于3D NAND闪存存储器可靠性物理机理的研究工作。面向三维垂直架构下NAND闪存存储器中电荷扩散所带来的数据保持特性退化的可靠性问题，在原子层面对电荷存储层的各种电荷俘获缺陷进行了研究。在全面把握氢、氧元素对氮化硅电荷存储层中浅能级缺陷调制作用的基础之上，提出利用重氢钝化来抑制3D NAND闪存存储器擦写过程中氢键断裂所带来的可靠性退化。在本次的演讲中，您将聆听到3D NAND闪存存储器可靠性物理机理研究工作如何推动微电子领域科研新进展。

主题演讲为《闪存的质量特性及测试与评价技术》，面对系统兼容性方面没有能力获得所有厂家的设备；扩展性方面如厂家宣传的PB、ZB规模扩展性更多依赖于方针手段，缺乏实际测试环境；针对安全，很多安全堆栈的测试没有统一衡量标准；针对商家宣称的若干个9的可靠性测试也还存在模糊地带。阳小珊主任曾在2016年中国存储峰会期间表示，存储系统国家质检还有很大改善空间，企业也应重视可靠性测试的自建。时隔2年，阳小珊主任将为您带来国家存储评测方面的实质性进展。